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<title>Spitzendiode</title>
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<h1 id="firstHeading" class="firstHeading mw-first-heading"><span class="mw-page-title-main">Spitzendiode</span></h1>
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<p>Eine <b>Spitzendiode</b> ist eine Form einer <a href="Halbleiter" title="Halbleiter">Halbleiter</a>-<a href="Diode" title="Diode">Diode</a>, bei der eine feine Metallspitze auf ein <a href="Einkristall" title="Einkristall">einkristallines</a> Halbleiterplättchen drückt und dort einen lokalen Metall-Halbleiter<a href="Pn-%C3%9Cbergang" class="mw-redirect" title="Pn-Übergang">-Übergang</a>, einen so genannten <a href="Schottky-Kontakt" class="mw-redirect" title="Schottky-Kontakt">Schottky-Kontakt</a>,<sup id="cite_ref-1" class="reference"><a href="#cite_note-1"><span class="cite-bracket">[</span>1<span class="cite-bracket">]</span></a></sup> bildet. Eine erste Spitzendiode wurde vom deutschen Physiker <a href="Walter_Schottky" title="Walter Schottky">Walter Schottky</a> gebaut (1938).<sup id="cite_ref-2" class="reference"><a href="#cite_note-2"><span class="cite-bracket">[</span>2<span class="cite-bracket">]</span></a></sup> Spitzendioden waren die Nachfolger der zuvor, vor allem in <a href="Detektorempf%C3%A4nger" title="Detektorempfänger">Detektorempfängern</a> verwendeten <i>Kristalldetektoren</i>, und Vorläufer der <a href="Spitzentransistor" title="Spitzentransistor">Spitzentransistoren</a>.
</p><p>Sie wurden im Gegensatz zu den Kristalldetektoren industriell mit besserer Reproduzierbarkeit gefertigt und in ein Glas- oder Keramik-Gehäuse eingebaut und hatten spezifizierte Eigenschaften. Erste Anwendungen und Antrieb zur Weiterentwicklung waren Detektoren für <a href="Radar" title="Radar">Radargeräte</a> während des <a href="Zweiter_Weltkrieg" title="Zweiter Weltkrieg">Zweiten Weltkriegs</a>. Spezifiziert wurden die Dioden oft bis zu 30&nbsp;GHz.<sup id="cite_ref-3" class="reference"><a href="#cite_note-3"><span class="cite-bracket">[</span>3<span class="cite-bracket">]</span></a></sup><sup id="cite_ref-4" class="reference"><a href="#cite_note-4"><span class="cite-bracket">[</span>4<span class="cite-bracket">]</span></a></sup>
</p><p>Anwendung von Spitzendioden: <a href="Mischer_(Elektronik)" title="Mischer (Elektronik)">Mischdioden</a> und <a href="Demodulator" title="Demodulator">Demodulator</a> in Fernsehempfängern und Radargeräten.
</p><p><a href="Germanium" title="Germanium">Germanium</a>-Spitzendioden fanden, beginnend noch während der <a href="Elektronenr%C3%B6hre" title="Elektronenröhre">Röhrentechnik</a>, bis etwa 1985 breiten Einsatz als Demodulator- und Mischer in <a href="Radio" title="Radio">Radios</a>, Funkempfängern und -<a href="Sendeanlage" title="Sendeanlage">sendern</a>. Siehe unter anderem auch <a href="Ratiodetektor" class="mw-redirect" title="Ratiodetektor">Ratiodetektor</a>, <a href="Ringmodulator" title="Ringmodulator">Ringmodulator</a>
</p><p>Beispiele für Spitzendioden:
</p>
<ul><li><i>OA21</i> mit <a href="Durchlassspannung" class="mw-redirect" title="Durchlassspannung">U<sub>f</sub></a>&nbsp;=&nbsp;0,5&nbsp;V bei 20&nbsp;mA (<a href="Grenzfrequenz" title="Grenzfrequenz">f<sub>c</sub></a> ca. 1&nbsp;GHz, Material: <a href="Germanium" title="Germanium">Germanium</a>, Fa. <i>TE-KA-DE</i>).</li>
<li><i>1N82</i> mit U<sub>f</sub>&nbsp;=&nbsp;0,2&nbsp;V bei 1&nbsp;mA (f<sub>c</sub> ca. 1&nbsp;GHz, Material: <a href="Silicium" title="Silicium">Silizium</a>, Fa. <a href="Sylvania_Electric_Products" title="Sylvania Electric Products">Sylvania</a> / <a href="Anode" title="Anode">Anode</a> an der Chip-Seite).</li>
<li><i>CS3A</i> mit U<sub>f</sub>&nbsp;=&nbsp;0,2&nbsp;V bei 1&nbsp;mA (f<sub>c</sub> ca. 10&nbsp;GHz, Patronenform, Material: Silizium, Fa. <i>British-Thomson-Houston Co Ltd.</i> 1941).</li></ul>
<p>Um die Kontaktstelle noch stabiler gegen mechanische Einflüsse zu machen, wird sie oft durch einen Stromstoß <i>formiert</i>. Dadurch entsteht an der Kontaktstelle im Kristall eine halbkugelförmige, neu-<a href="Dotierung" title="Dotierung">dotierte</a> Zone, die mit dem Kristall-Grundmaterial nun einen <a href="P-n-%C3%9Cbergang" title="P-n-Übergang">p-n-Übergang</a> und somit eine PN-Diode bildet. Die <a href="Hochfrequenz" title="Hochfrequenz">HF</a>-Eigenschaften verschlechtern sich dadurch, da die <a href="Sperrschichtkapazit%C3%A4t" class="mw-redirect" title="Sperrschichtkapazität">Sperrschichtkapazität</a> und die <a href="Rekombination_(Physik)" title="Rekombination (Physik)">Ladungsträgerlebensdauer</a> zunehmen. Sie unterscheidet sich von der nicht formierten Spitzendiode auch dadurch, dass ihre Strombelastbarkeit höher ist; der Einsatz ist je nach Behandlung auf einige zehn bis einige 100&nbsp;MHz beschränkt.
</p><p>Die Lage der <a href="Kathode" title="Kathode">Kathode</a> richtet sich nach der vorliegenden Grunddotierung des Materials; sie muss nicht unbedingt auf der Chip-Seite (wie im Bild) liegen.
</p>
<div class="mw-heading mw-heading2"><h2 id="Einzelnachweise">Einzelnachweise</h2></div>
<ol class="references">
<li id="cite_note-1"><span class="mw-cite-backlink"><a href="#cite_ref-1">↑</a></span> <span class="reference-text"><a href="Marius_Grundmann" title="Marius Grundmann">Marius Grundmann</a>: <cite style="font-style:italic">The physics of semiconductors&nbsp;: an introduction including devices and nanophysics</cite>. Springer, Berlin 2006, ISBN 978-3-540-34661-6, <span style="white-space:nowrap">S.<span style="display:inline-block;width:.2em">&nbsp;</span>402</span>.<span class="Z3988" title="ctx_ver=Z39.88-2004&amp;rft_val_fmt=info%3Aofi%2Ffmt%3Akev%3Amtx%3Abook&amp;rfr_id=info:sid/de.wikipedia.org:Spitzendiode&amp;rft.au=Marius+Grundmann&amp;rft.btitle=The+physics+of+semiconductors+%3A+an+introduction+including+devices+and+nanophysics&amp;rft.date=2006&amp;rft.genre=book&amp;rft.isbn=9783540346616&amp;rft.pages=402&amp;rft.place=Berlin&amp;rft.pub=Springer" style="display:none">&nbsp;</span></span>
</li>
<li id="cite_note-2"><span class="mw-cite-backlink"><a href="#cite_ref-2">↑</a></span> <span class="reference-text"><a rel="nofollow" class="external text" href="https://www.leifiphysik.de/elektronik/transistor/geschichte/die-erfindung-des-transistors">Die Erfindung des Transistors</a> von <a href="LEIFIphysik" title="LEIFIphysik">LEIFIphysik</a>, Abruf am 24. Juni 2020.</span>
</li>
<li id="cite_note-3"><span class="mw-cite-backlink"><a href="#cite_ref-3">↑</a></span> <span class="reference-text">Impulstechnik, H. R. Schlegel / Alfred Nowak, Verlag Siegfried Schütz Hannover 1955, S. 557–558.</span>
</li>
<li id="cite_note-4"><span class="mw-cite-backlink"><a href="#cite_ref-4">↑</a></span> <span class="reference-text">Kristalloden-Technik, R. Rost, Verlag Wilhelm Ernst &amp; Sohn Berlin 1954, S. 40–44, 49.</span>
</li>
</ol></div><!--htdig_noindex--><div><div class="zim-footer">
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